Галлий марки 7N (99,99999), полученный из отходов полупроводникового производства с последующей дозированной разливкой с точностью 0,1 г (вес отливок от 0,1 до 2 кг) мишени и материалы для нанесения пленок распылением и испарением;износостойкие покрытия на основе карбида кремния, нитрида титана и пироуглерода особой чистоты; монокристаллы и пластины арсенида галлия, арсенида индия, фосфида индия, монокристаллы антимонида галлия, антимонида индия; подложки CdZnTe; эпитаксиальные слои CdHgTe; эпитаксиальные структуры твердых растворов ртуть-кадмий-теллур для матричных ИК-фотоприемников; фотоприемные устройства на основе HgCdTe; детекторы ионизирующего излучения CdTe и CdZnTe; халькогениды Bi и Sb и охлаждающие модули на их основе; и многое другое.